Diode laser គឺជាឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចដែលប្រើប្រាស់ PN junction ជាមួយនឹង binary ឬ ternary semiconductor materials ។ នៅពេលដែលតង់ស្យុងមួយត្រូវបានអនុវត្តទៅខាងក្រៅ អេឡិចត្រុងផ្លាស់ប្តូរពីក្រុម conduction ទៅ valence band ហើយបញ្ចេញថាមពល ដោយហេតុនេះផលិត photons ។ នៅពេលដែល photons ទាំងនេះឆ្លុះបញ្ចាំងម្តងហើយម្តងទៀតនៅក្នុងប្រសព្វ PN ពួកគេនឹងផ្ទុះចេញនូវកាំរស្មីឡាស៊ែរខ្លាំង។ ឡាស៊ែរ Semiconductor មានលក្ខណៈនៃ miniaturization និងភាពជឿជាក់ខ្ពស់ ហើយប្រេកង់ឡាស៊ែររបស់វាអាចត្រូវបានកែតម្រូវដោយការផ្លាស់ប្តូរសមាសភាពសម្ភារៈ ទំហំប្រសព្វ PN និងវ៉ុលត្រួតពិនិត្យ។
ឡាស៊ែរ Diode ត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយក្នុងវិស័យដូចជាការទំនាក់ទំនងខ្សែកាបអុបទិក ឌីសអុបទិក ម៉ាស៊ីនព្រីនឡាស៊ែរ ម៉ាស៊ីនស្កេនឡាស៊ែរ សូចនាករឡាស៊ែរ (ប៊ិចឡាស៊ែរ) ល។ ពួកវាជាឡាស៊ែរធំបំផុតនៅក្នុងលក្ខខណ្ឌនៃបរិមាណផលិតកម្ម។ លើសពីនេះទៀត ឡាស៊ែរ semiconductor មានកម្មវិធីទូលំទូលាយនៅក្នុងជួរឡាស៊ែរ LiDAR ទំនាក់ទំនងឡាស៊ែរ អាវុធក្លែងធ្វើឡាស៊ែរ ការព្រមានឡាស៊ែរ ការណែនាំ និងការតាមដានឡាស៊ែរ ការបញ្ឆេះ និងការបំផ្ទុះ ការគ្រប់គ្រងដោយស្វ័យប្រវត្តិ ឧបករណ៍រាវរកជាដើម បង្កើតទីផ្សារទូលំទូលាយ។
ពេលវេលាប្រកាស៖ ថ្ងៃទី ២៦ ខែមេសា ឆ្នាំ ២០២៤
